アモルファスランダム多層膜の光反射率異常とその偏光依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
アモルファス半導体多層膜に乱れを導入すると光反射率スペクトルに異常が現われる.この反射率異常の光入射角依存性をS波およびP波についてシミュレーションおよび実験を行なった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-20
著者
-
仁田 昌二
岐阜大学工学部電子情報工学科
-
野々村 修一
岐阜大学工学部電子情報工学科
-
仁田 昌二
岐阜大
-
竹内 繁樹
岐阜県警
-
山田 幸弘
岐阜大学工学部
-
竹内 繁樹
岐阜大学工学部
-
野々村 修一
岐阜大学 大学院工学研究科
-
仁田 昌二
岐阜大学工学部
関連論文
- 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
- アモルファス窒化カーボンa-CN_xの作製とその性質
- 6a-LT-15 GDa-Si膜の光学的性質
- アモルファスランダム多層膜の光反射率異常とその偏光依存性
- 窒化炭素半導体の最近の展開
- 低誘電率媒体としてのアモルファス窒化炭素薄膜
- 新結晶・新物質 窒素ラディカル・スパッタ法によるアモルファス窒化炭素薄膜--創製,物性とその応用
- 光/計測・制御分野における「超」技術
- 29a-D-9 GD-a-Siにおけるルミネッセンスの疲労現象
- 4p-B-11 GD-aSi の発光 II : 定常状態スペクトルと光照射効果
- 4p-B-10 GD-aSi の発光 I : 時間分解ルミネッセンス
- 4a-D-4 不規則a-Si:H/a-Si_3N_4:H多層膜の電気伝導特性の評価
- 4a-D-6 アモルファス半導体超格子の光学的性質
- 4a-D-15 不規則アモルファス多層膜の光学的性質
- YBa_2Cu_3O_y超伝導体の超音波測定
- 微結晶系薄膜太陽電池の開発動向と透明電極表面保護膜
- 4a-D-17 アモルファスバンド端変調超格子のガス放出スペクトル
- 708 鉄道関連部品の破面解析
- 619 犯罪鑑識における破壊事故調査について : フラクトグラフィ技術の活用
- 放火現場における油性物の可視化
- フェード現象に起因したトレーラの横転事故事例
- 放火現場における油性物の可視化
- アモルファス半導体を用いたランダム多層膜とその応用
- 排水ポンプ用電動機の漏電による感電事故
- 6p-B-10 SiH_4のグロー放電分解法によって作ったa-Siの活性化型AC伝導
- 高電気伝導非晶質半導体の交流伝導
- 30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
- 2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
- 1p-PS-18 ディシラン分解a-Si:Hにおける時間分解ルミネッセンスとパルスODMR
- 1p-PS-16 モノシラン、ディシラン分解a-Si:Hにおけるルミネッセンス疲労とODMR
- 27a-SB-11 a-Si_C_x : Hにおける光検波ESR
- 29p-PS-24 YBa_2Cu_3O_のガス放出スペクトル
- 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
- 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
- 4a-D-3 PLAS法とEA法によるa-Si:H/a-Si_3N_4:H界面評価
- SPIE光科学,工学および装置国際シンポジウム"フラーレンとフォトニックスIV"報告
- スピア先生の思い出 : Walter E. Spear, F.R.S.
- 新機能材料としての非晶質物質の可能性
- アモルファス窒化ゲルマニウムa-Ge_N_x : Hの作製とその性質
- PDS(光熱偏向分光法)
- 13p-X-7 水素化アモルファスシリコンa-Si:Hを用いたランダム多層膜の光学的性質とその応用
- 31a GE-11 アモルファスSiの光検波ESRと時間分解発光スペクトル
- 6a-LT-18 GDa-Si膜のフォトルミネッセンス
- 12p-R-4 Glow Discharge a-Siのフォトルミネッセンス
- 31p GE-12 G. D. a-Siの光伝導
- テトラヘドラル系アモルファス半導体の光劣化現象--Staebler-Wronski効果
- ランダム・アモルファス多層膜の反射率異常--光の古典的局在 (アモルファス半導体と新材料) -- (トピックス)
- ド-ピング (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
- ジシランからのグロ-放電法,HOMOCVDおよび光CVD--新しいアモルファス・シリコン作製法とその特性 (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス半導体)
- 7p-Q-4 半導体テルル蒸着膜の性質
- 3p-GC-6 MIM系トンネル接合を流れる電流密度の電圧依存性
- 4a-D-5 液体窒素温度における光熱偏向分光法によるa-Si:Hの評価
- 会議だより 第30回アモルファス物質の物性と応用セミナー
- アモルファス物質の光不安定性-体積変化と欠陥-
- 有機・バイオ/非晶質
- 2a-W-27 a-Si:Hルミネッセンス疲労効果の励起波長依存症
- 1p-B-17 a-Si: Hにおける時間分解ルミネッセンスの温度依存性
- 6a-LT-4 非晶質半導体の"実効的光学ギャップ"モデル
- 12p-R-11 Glow Discharge a-SiのReflectance
- グロ-放電分解法によるアモルファスSiの作成(実験室)
- Theory of the Electronic States in Chalcogenide Amorphous Semiconductors by Tight Binding Weaire Model
- 6p-B-11 高速フーリエ変換による非晶質半導体の低周波誘電率の評価
- 31p GE-11 Doped GD-a-Siの交流伝導
- グロー放電アモルファス・シリコンの反射率と吸収係数
- 光の祭り
- 非晶質・微結晶
- アモルファスシリコンメモリ-
- CPM,PDS,PLAS,PPES (アモルファス半導体と新材料) -- (測定法)
- 広がるプラズマの新しい応用--プラズマ・プロセス-4-プラズマ・プロセスのアモルファス半導体への応用