4a-D-4 不規則a-Si:H/a-Si_3N_4:H多層膜の電気伝導特性の評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-09-12
著者
関連論文
- アモルファス窒化カーボンa-CN_xの作製とその性質
- アモルファスランダム多層膜の光反射率異常とその偏光依存性
- 光/計測・制御分野における「超」技術
- 4a-D-4 不規則a-Si:H/a-Si_3N_4:H多層膜の電気伝導特性の評価
- 4a-D-6 アモルファス半導体超格子の光学的性質
- 4a-D-15 不規則アモルファス多層膜の光学的性質
- 微結晶系薄膜太陽電池の開発動向と透明電極表面保護膜
- 4a-D-17 アモルファスバンド端変調超格子のガス放出スペクトル
- アモルファス半導体を用いたランダム多層膜とその応用
- 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
- 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
- 4a-D-3 PLAS法とEA法によるa-Si:H/a-Si_3N_4:H界面評価
- アモルファス窒化ゲルマニウムa-Ge_N_x : Hの作製とその性質
- PDS(光熱偏向分光法)
- 13p-X-7 水素化アモルファスシリコンa-Si:Hを用いたランダム多層膜の光学的性質とその応用
- 7p-Q-4 半導体テルル蒸着膜の性質
- 4a-D-5 液体窒素温度における光熱偏向分光法によるa-Si:Hの評価
- 会議だより 第30回アモルファス物質の物性と応用セミナー
- アモルファス物質の光不安定性-体積変化と欠陥-
- 有機・バイオ/非晶質
- 31p GE-11 Doped GD-a-Siの交流伝導
- 非晶質・微結晶
- アモルファスシリコンメモリ-
- CPM,PDS,PLAS,PPES (アモルファス半導体と新材料) -- (測定法)