4a-D-5 液体窒素温度における光熱偏向分光法によるa-Si:Hの評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-09-12
著者
-
仁田 昌二
岐阜大学工学部電子情報工学科
-
野々村 修一
岐阜大学工学部電子情報工学科
-
野々村 修一
岐阜大学 大学院工学研究科
-
仁田 昌二
岐阜大学工学部
-
佐野 浩
岐阜大工学部
-
南出 隆広
岐阜大学工学部
関連論文
- アモルファス窒化カーボンa-CN_xの作製とその性質
- アモルファスランダム多層膜の光反射率異常とその偏光依存性
- 光/計測・制御分野における「超」技術
- 4a-D-4 不規則a-Si:H/a-Si_3N_4:H多層膜の電気伝導特性の評価
- 4a-D-6 アモルファス半導体超格子の光学的性質
- 4a-D-15 不規則アモルファス多層膜の光学的性質
- YBa_2Cu_3O_y超伝導体の超音波測定
- 微結晶系薄膜太陽電池の開発動向と透明電極表面保護膜
- 4a-D-17 アモルファスバンド端変調超格子のガス放出スペクトル
- 放火現場における油性物の可視化
- 放火現場における油性物の可視化
- アモルファス半導体を用いたランダム多層膜とその応用
- 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
- 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
- 4a-D-3 PLAS法とEA法によるa-Si:H/a-Si_3N_4:H界面評価
- 新機能材料としての非晶質物質の可能性
- アモルファス窒化ゲルマニウムa-Ge_N_x : Hの作製とその性質
- PDS(光熱偏向分光法)
- 13p-X-7 水素化アモルファスシリコンa-Si:Hを用いたランダム多層膜の光学的性質とその応用
- 3p-GC-6 MIM系トンネル接合を流れる電流密度の電圧依存性
- 4a-D-5 液体窒素温度における光熱偏向分光法によるa-Si:Hの評価
- 会議だより 第30回アモルファス物質の物性と応用セミナー
- アモルファス物質の光不安定性-体積変化と欠陥-
- 有機・バイオ/非晶質
- 6a-LT-4 非晶質半導体の"実効的光学ギャップ"モデル
- 31p GE-11 Doped GD-a-Siの交流伝導
- グロー放電アモルファス・シリコンの反射率と吸収係数
- 光の祭り
- 非晶質・微結晶
- アモルファスシリコンメモリ-
- CPM,PDS,PLAS,PPES (アモルファス半導体と新材料) -- (測定法)
- 広がるプラズマの新しい応用--プラズマ・プロセス-4-プラズマ・プロセスのアモルファス半導体への応用