広がるプラズマの新しい応用--プラズマ・プロセス-4-プラズマ・プロセスのアモルファス半導体への応用

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概要

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• Present states of the understanding of the defects creation in the plasma processes to prepare hydrogenated amorphous silicon films a-Si : H are briefly reviewed. Then photo-induced defects creation that is called the Staebler-Wronski effect are also reviewed. Finally dimensionality in amorphous semiconductors are discussed with the example of Si-C system, especially stressed in hydrogenated one dimensional Si-C alloys which are situated between polysilane (SiH<SUB>2</SUB>)<SUB>n</SUB> and polyacetylene (CH)<SUB>n</SUB>.

• 社団法人 プラズマ・核融合学会の論文

著者

• 仁田 昌二

  岐阜大学工学部

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