アモルファス窒化ゲルマニウムa-Ge_<1-x>N_x : Hの作製とその性質

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概要

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a-Ge_<1-x>N_xは窒素の含有量により光学ギャップが約1.0〜3.0[eV]と幅広く制御できることが報告されており、これまでに、電子スピン共鳴法による欠陥の評価などがされてきた. しかし、試料中に含まれる酸素や炭素を考慮にいれた報告はまだされていおらず、本研究では、a-Ge_<1-x>N_xに混入される酸素、炭素を考慮してその物性の評価を行うことを目的としている。試料はGeターゲットとAr+N_2+H_2の混合ガスを用いて、反応性高周波マグネトロンスパッタにより作製した。本稿では、a-Ge_<1-x>N_x:Hの構造、光学的性質および電気的性質を酸素、炭素を考慮にいれて評価した結果を報告する.
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-05-23

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