高電気伝導非晶質半導体の交流伝導
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
- アモルファス窒化カーボンa-CN_xの作製とその性質
- 6a-LT-15 GDa-Si膜の光学的性質
- アモルファスランダム多層膜の光反射率異常とその偏光依存性
- 窒化炭素半導体の最近の展開
- 低誘電率媒体としてのアモルファス窒化炭素薄膜
- 新結晶・新物質 窒素ラディカル・スパッタ法によるアモルファス窒化炭素薄膜--創製,物性とその応用
- 29a-D-9 GD-a-Siにおけるルミネッセンスの疲労現象
- 4p-B-11 GD-aSi の発光 II : 定常状態スペクトルと光照射効果
- 4p-B-10 GD-aSi の発光 I : 時間分解ルミネッセンス
- 4a-D-6 アモルファス半導体超格子の光学的性質
- 4a-D-15 不規則アモルファス多層膜の光学的性質
- YBa_2Cu_3O_y超伝導体の超音波測定
- 4a-D-17 アモルファスバンド端変調超格子のガス放出スペクトル
- 放火現場における油性物の可視化
- 放火現場における油性物の可視化
- アモルファス半導体を用いたランダム多層膜とその応用
- 6p-B-10 SiH_4のグロー放電分解法によって作ったa-Siの活性化型AC伝導
- 高電気伝導非晶質半導体の交流伝導
- 30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
- 2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
- 1p-PS-18 ディシラン分解a-Si:Hにおける時間分解ルミネッセンスとパルスODMR
- 1p-PS-16 モノシラン、ディシラン分解a-Si:Hにおけるルミネッセンス疲労とODMR
- 27a-SB-11 a-Si_C_x : Hにおける光検波ESR
- 29p-PS-24 YBa_2Cu_3O_のガス放出スペクトル
- 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
- 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
- SPIE光科学,工学および装置国際シンポジウム"フラーレンとフォトニックスIV"報告
- スピア先生の思い出 : Walter E. Spear, F.R.S.
- 新機能材料としての非晶質物質の可能性
- アモルファス窒化ゲルマニウムa-Ge_N_x : Hの作製とその性質
- PDS(光熱偏向分光法)
- 13p-X-7 水素化アモルファスシリコンa-Si:Hを用いたランダム多層膜の光学的性質とその応用
- 31a GE-11 アモルファスSiの光検波ESRと時間分解発光スペクトル
- 6a-LT-18 GDa-Si膜のフォトルミネッセンス
- 12p-R-4 Glow Discharge a-Siのフォトルミネッセンス
- 31p GE-12 G. D. a-Siの光伝導
- テトラヘドラル系アモルファス半導体の光劣化現象--Staebler-Wronski効果
- ランダム・アモルファス多層膜の反射率異常--光の古典的局在 (アモルファス半導体と新材料) -- (トピックス)
- ド-ピング (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
- ジシランからのグロ-放電法,HOMOCVDおよび光CVD--新しいアモルファス・シリコン作製法とその特性 (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス半導体)
- 7p-Q-4 半導体テルル蒸着膜の性質
- 2a-W-27 a-Si:Hルミネッセンス疲労効果の励起波長依存症
- 1p-B-17 a-Si: Hにおける時間分解ルミネッセンスの温度依存性
- 6a-LT-4 非晶質半導体の"実効的光学ギャップ"モデル
- 12p-R-11 Glow Discharge a-SiのReflectance
- グロ-放電分解法によるアモルファスSiの作成(実験室)
- Theory of the Electronic States in Chalcogenide Amorphous Semiconductors by Tight Binding Weaire Model
- 6p-B-11 高速フーリエ変換による非晶質半導体の低周波誘電率の評価
- CPM,PDS,PLAS,PPES (アモルファス半導体と新材料) -- (測定法)