6p-B-11 高速フーリエ変換による非晶質半導体の低周波誘電率の評価

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1976-09-16

著者

• 仁田 昌二

  岐阜大

• 嶋川 晃一

  岐阜大・工

• 森 正昭

  岐阜大・工

• 仁田 昌二

  岐阜大・工

• 長崎 康昌

  岐阜大・工

関連論文

• 12p-D-10 a-Si:H,a-Si_Cx:H,a-Si_Nx:Hにおける新しい光検波ESR信号
• アモルファス窒化カーボンa-CN_xの作製とその性質
• 2p-F-7 カルコゲナイドガラスの光構造変化と交流伝導
• 6a-LT-15 GDa-Si膜の光学的性質
• アモルファスランダム多層膜の光反射率異常とその偏光依存性
• 窒化炭素半導体の最近の展開
• 低誘電率媒体としてのアモルファス窒化炭素薄膜
• 新結晶・新物質 窒素ラディカル・スパッタ法によるアモルファス窒化炭素薄膜--創製,物性とその応用
• 2p-F-13 アモルファスSi-Au:H系の交流伝導とgranularity
• 29a-D-9 GD-a-Siにおけるルミネッセンスの疲労現象
• 4p-B-11 GD-aSi の発光 II : 定常状態スペクトルと光照射効果
• 4p-B-10 GD-aSi の発光 I : 時間分解ルミネッセンス
• 4a-D-6 アモルファス半導体超格子の光学的性質
• 4a-D-15 不規則アモルファス多層膜の光学的性質
• YBa_2Cu_3O_y超伝導体の超音波測定
• 4a-D-17 アモルファスバンド端変調超格子のガス放出スペクトル
• 放火現場における油性物の可視化
• 放火現場における油性物の可視化
• アモルファス半導体を用いたランダム多層膜とその応用
• 6p-B-10 SiH_4のグロー放電分解法によって作ったa-Siの活性化型AC伝導
• 高電気伝導非晶質半導体の交流伝導
• 30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
• 2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
• 1p-PS-18 ディシラン分解a-Si:Hにおける時間分解ルミネッセンスとパルスODMR
• 1p-PS-16 モノシラン、ディシラン分解a-Si:Hにおけるルミネッセンス疲労とODMR
• 27a-SB-11 a-Si_C_x : Hにおける光検波ESR
• 29p-PS-24 YBa_2Cu_3O_のガス放出スペクトル
• 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
• 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
• SPIE光科学,工学および装置国際シンポジウム"フラーレンとフォトニックスIV"報告
• スピア先生の思い出 : Walter E. Spear, F.R.S.
• 新機能材料としての非晶質物質の可能性
• アモルファス窒化ゲルマニウムa-Ge_N_x : Hの作製とその性質
• PDS(光熱偏向分光法)
• 13p-X-7 水素化アモルファスシリコンa-Si:Hを用いたランダム多層膜の光学的性質とその応用
• 31a GE-11 アモルファスSiの光検波ESRと時間分解発光スペクトル
• 6a-LT-18 GDa-Si膜のフォトルミネッセンス
• 12p-R-4 Glow Discharge a-Siのフォトルミネッセンス
• 31p GE-12 G. D. a-Siの光伝導
• テトラヘドラル系アモルファス半導体の光劣化現象--Staebler-Wronski効果
• ランダム・アモルファス多層膜の反射率異常--光の古典的局在 (アモルファス半導体と新材料) -- (トピックス)
• ド-ピング (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
• ジシランからのグロ-放電法,HOMOCVDおよび光CVD--新しいアモルファス・シリコン作製法とその特性 (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス半導体)
• 7p-Q-4 半導体テルル蒸着膜の性質
• 2p-F-8 カルコゲナイドガラスの残留光電流の減衰
• 2a-W-27 a-Si:Hルミネッセンス疲労効果の励起波長依存症
• 1p-B-17 a-Si: Hにおける時間分解ルミネッセンスの温度依存性
• 6a-LT-4 非晶質半導体の"実効的光学ギャップ"モデル
• 12p-R-11 Glow Discharge a-SiのReflectance
• グロ-放電分解法によるアモルファスSiの作成(実験室)
• Theory of the Electronic States in Chalcogenide Amorphous Semiconductors by Tight Binding Weaire Model
• 6p-B-11 高速フーリエ変換による非晶質半導体の低周波誘電率の評価
• CPM,PDS,PLAS,PPES (アモルファス半導体と新材料) -- (測定法)
• 2p-L2-13 アモルファスカーボン局在電子のマルチフォノントンネル伝導(半導体,(アモルファス))
• 1p-FC-8 カルコゲナイドガラスの光構造変化と交流伝導II(1p FC 半導体(アモルファス))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク