IC内RC素子の性能評価の一方法
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概要
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アナログ形PLLを集積化して試作する場合に,受動素子が実際に設計値どおりに作製されているか,素子のバラツキはどの程度かにより,設計したICの動作に与える影響が懸念される.そこで,IC内の受動素子すなわちRおよびCを定量的に評価するため,最も簡単と考えられる特性測定用の回路(Test Element Group:TEG)を作製し,素子の簡単な評価測定を試みた.評価回路はレーザトリミングを利用して加工することで,TEG中の素子を分離して個々の素子の測定を行うことができるようにした.試作ICの特性測定から,IC内におけるR,C素子の基本的な特性を測定することができた.
- 2002-09-13
著者
-
井上 浩
秋田大学工学資源学部電気電子工学科
-
伊藤 文人
株式会社アキタ電子システムズ
-
佐藤 紀章
秋田大学工学資源学部電気電子工学科
-
佐藤 紀章
秋田大学工学資源学部
-
川元 雅紀
秋田大学工学資源学部
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