TbFe/SmFe磁歪薄膜を用いたカンチレバの特性
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概要
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本報告では、磁性薄膜の磁歪現象を利用した新タイプのアクチュエータに関して述べる。正磁歪を有するTbFe薄膜と負磁歪を有するSmFe薄膜は、適切な条件の基で成膜を行うことによって弱磁界における磁歪が100×10^<-6>以上の大きな値を示す。この磁歪特性を利用して、TbFe薄膜とSmFe薄膜をそれぞれ基板の反対面に成膜したバイモルフ構造のカンチレバを作製し、外部磁界印加による変位特性を評価した。その結果、厚さ3μmのポリイミドフィルムを用いた長さ3mmのカンチレバの変位は、3000eの静磁界で100μmに、さらに交流磁界中で共振を利用することにより500μmにまで達した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-06-16
著者
-
荒井 賢一
東北大学電気通信研究所
-
山口 正洋
東北大学電気通信研究所
-
本田 崇
九州工業大学電気工学科
-
山口 正洋
東大 大学院医学系研究科
-
本田 崇
東北大学電気通信研究所
-
菅原 渉
東北大学電気通信研究所
-
菅原 渉
東北大学 電気通信研究所
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