マイクロ波ドハティ増幅器の設計法及びSi MOSFET電力増幅器への応用

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概要

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最近,広ダイナミックレンジの高効率,低ひずみ特性を実現できる可能性のあるマイクロ波電力増幅器としてドハティ増幅器が注目されている.本論文では,まず,ドハティ増幅器についてその構成,動作,特性などの特徴,マイクロ波電力増幅器としての課題について紹介する.本論文では,マイクロ波ドハティ電力増幅器において成り立つ回路条件を導き,これを応用してドハティ増幅器の実用的な出力結合回路の設計法を提案する.また,ドハティ増幅器を構成するピーク増幅器及びキャリヤ増幅器の出力回路構成がドハティ回路構成の合成特性に及ぼす影響についても明らかにし,その設計指針を示す.提案した設計法を用いて構成した電力Si MOSFETドハティ増幅器の振舞い及び特性をシミュレーションにより詳細に検討する.また,これらの結果を踏まえて設計試作した1GHz帯Si MOSFET ドハティ電力増幅器についての評価結果を紹介する.最後に,まとめ及び課題を展望する.
2004-10-01

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