シャントL-C共振回路を挿入したE級増幅器
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概要
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E級増幅器は,高周波数において高いdc, RF変換効率を実現できるが,スイッチ電圧,及びその微係数が,ターンオン時に共に零となるE級動作条件を満たさねばならず,設計仕様,及び動作範囲が厳しく制限された。今回提案するシャントL-C共振回路を挿入したE級増幅器は,L-Cの素子値を変えることにより設計の自由度を増し,且つこの部分を可変にすることでE級動作条件を維持できる。本論文では,この増幅器の解析,設計式,及び従来型との比較実験の結果を示す。回路実験の結果,提案型回路は負荷低抗が最適値以上になった場合に従来型より高い効率を維持する特性も観られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
-
森 真作
慶応義塾大学工学部電気工学科
-
森 真作
慶応義塾大学
-
小泉 裕幸
慶應義塾大学理工学部情報工学科
-
小泉 裕孝
慶應義塾大学理工学部情報工学科
-
森 真作
慶応義塾大学理工学部電気工学科
-
小泉 裕孝
慶応義塾大学理工学部電気工学科
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