しきい論理に基づく再構成可能デバイスの可変論理部
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概要
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従来のしきい論理に基づく論理可変性を持つニューロンMOS回路(νMOS回路)では、再構成可能デバイスの可変論理部に要求される論理構成データ保持機能を、メモリ回路を追加することなく、実現することは困難であった。本稿では、νMOSインバータ自身に構成データ保持機能を与える回路を提案し、そのνMOSインバータを用いた可変論理部の回路構成と構成データ保持方法について説明する。この可変論理部は状態保持機能を持つため、任意の対称関数機能、メモリ機能、マルチプレクサ機能、配線機能の4つの機能を実現することができる。3入力変数対称関数機能と4入力マルチプレクサ機能を持つ可変論理部を回路シミュレーションにより機能検証した結果、4つの機能の正常動作を確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-11-23
著者
-
青山 一生
日本電信電話株式会社NTTコミュニケーション科学基礎研究所
-
名古屋 彰
NTT未来ねっと研究所
-
澤田 宏
NTTコミュニケーション科学基礎研究所
-
青山 一生
NTTコミュニケーション科学基礎研究所
-
中島 和生
University of Maryland
-
澤田 宏
日本電信電話株式会社NTTコミュニケーション科学基礎研究所
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