スイッチングTrを搭載したPCBモデルからの近傍磁界放射の一検討
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概要
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スイッチング回路を搭載したPCBモデルからのノイズ放射をシミュレーションと実験によって検討するための基礎検討として, Trによるスイッチング回路とTrを搭載したPCBモデルのFDTDモデリングについて、実験との比較検討を行う.Trは容量を考慮した拡張型エバーズ・モルの等価回路によってモデル化され, 測定並びにパラメータの設定によって実験値と一致する低周波スイッチングのFDTDシミュレーションが可能である.また, Trを搭載したPCBモデルを作製し, 信号線路並びに電源線路上の近傍磁界をFDTDシミュレーション並びに実験によって求めたところ, 両者の特徴は一致したことから, 実際のモデルとの一致するFDTDシミュレーションが可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-19
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