スペクトル領域-実空間再変換法によるマイクロストリップ線路放射電磁界解析
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概要
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マイクロストリップ線路の電流密度分布に起因する放射電磁界を、3次元構造を考慮した上で解析的に計算するために、スペクトル領域-実空間再変換法(Spectral Domain to Real-space retransform Approach:SDRA)のアルゴリズムを開発した。本手法は、L.J.van der Pauwにより定式化された放射電磁界のスペクトル領域表現を理論的土台とする。平行平板準TEMモデルの電流密度分布を用いて、本手法の計算結果を、従来の手法である等価磁流源法や電流源法の計算結果と比較したところ、高精度で一致し、実験結果と比較したところ、周波数依存性に関して良い相関が見られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-06
著者
-
小林 直樹
NEC生産技術研究所
-
遠矢 弘和
NEC生産技術研究所
-
遠矢 弘和
日本電気株式会社生産技術研究所
-
阿部 博史
NECラボラトリーズ生産技術研究所EMC技術センタ
-
成田 薫
NEC生産技術研究所 EMC技術センター
-
Kushta Taras
NEC生産技術研究所 EMC技術センター
-
阿部 博史
NEC生産技術研究所 EMC技術センター
-
Kushta Taras
Nec生産技術研究所
-
成田 薫
Nec生産技術研究所
-
小林 直樹
Nec生産技術研究所 Emc技術センター
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