HF帯用SITの1/f雑音測定
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概要
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HF帯用SIT(Static Induction Transistor)の10[Hz]〜10[MHz]の周波数範囲における雑音特性の測定を行い, 1/f雑音のバイアス依存性について検討した.その結果, 1/f雑音のドレイン電流およびゲートバイアス依存性が観測された.特に, SITのチャンネルが完全に空乏していない状態ではゲートバイアスの影響が強いことが推測される.チャンネルがピンチオフした状態では, 1[Hz]における1/f雑音の大きさAはドレイン電流I_Dに対してA∝I_D^<0.10>の関係がみられた.他の半導体と比較すると, 電流に対する依存度は小さいと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-12
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