エピタキシャルNb薄膜の作製と特性評価
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概要
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dcマグネトロンスパッタ法及び超高真空電子ビーム蒸着法により, 500℃以上に加熱した単結晶サファイア基板(11^^-02)面上にNbをエピタキシャル成長させることで, 単結晶的な薄膜を得た. 常伝導抵抗が小さく表面が非常に平坦なこれらのエピタキシャル薄膜の磁気的な特性について調べた結果, 多結晶Nb薄膜と比べて磁場侵入長が小さく, GLコヒーレンス長が大きい等の優れた性質を有していることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-30
著者
-
松田 端史
室蘭工業大学
-
栗城 真也
北海道大学・電子科学研究所
-
松田 瑞史
室蘭工業大学
-
平山 文紀
電子技術総合研究所
-
松田 瑞史
室蘭工業大学工学部
-
松本 学
室蘭工業大学電気電子工学科
-
種田 教雄
室蘭工業大学電気電子工学科
-
種田 教雄
室蘭工業大学
-
栗城 真也
北海道大学 電子科学研究所
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