粒界接合型SQUIDの磁束変調特性と雑音特性
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概要
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単一基板にインダクタンスの異なるYBCO粒界接合型dc-SQUIDを作製し、その磁束変調電圧△Vの特性の検討を行った。High Tc SQUIDの特徴として、IcRn値に比べ△Vが小さいという特徴がある。この原因として、弱結合の熱雑音ラウンディングによる△Vの減少を考えた。実験値との比較の結果、△Vの減少の原因はパラメータγ(=Icφ_0, (πk_BT))20では熱雑音ラウンディングの影響が支配的であることが分かった。γ>20の条件では、SQUIDの熱雑音電流がSQUIDのインダクタンスLsに結合することによる効果が大きいと考えられる。また粒界接合型SQUIDの弱結合部のノーマル抵抗Rnと△Vの関係について検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-20
著者
-
鈴木 大介
北海道大学病院小児科
-
鈴木 大介
電子技術総合研究所
-
松田 端史
室蘭工業大学
-
栗城 真也
北海道大学・電子科学研究所
-
松田 瑞史
室蘭工業大学
-
鈴木 大介
北海道大学医学部小児科
-
栗城 真也
北海道大学 電子科学研究所
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