磁場中における高温超伝導SQUID磁束計の動作特性
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概要
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YBa_2Cu_3O_<7-x>(YBCO)薄膜中への磁束トラップを抑制するため, 数μm幅のYBCOストリップからなるメッシュ状のSQUID磁束計を設計, 試作した.また, 遮へい電流による磁束トラップを抑える目的で, 検出コイルに弱結合(フラックスダム)を作り込んだ.10μTを超える磁場中で素子を冷却した場合, V-φ特性に磁束シフトが観測されたことから, 約10μTをしきい値として磁束トラップが生じたと推定された.このしきい値は弱結合部近傍のYBCO薄膜の幅から計算される値に対応する.ゼロ磁場冷却後に磁場を印加すると, 遮へい電流によるフラックスダムが電圧状態となり, 検出コイル内に磁束が侵入した.そのしきい値磁場は0.14μTであり, 推定された臨界電流値は0.5mAであった.印加磁場に対するフラックスダムの臨界電流の変化はフラウンホーファー的な特性を示し, 電流値が極小となる磁場の値から印加した磁束が弱結合部に集中する機構があると推測された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-25
著者
-
横澤 宏一
日立製作所 基礎研究所
-
小山 洋
北海道大学電子科学研究所
-
横澤 宏一
(株)日立製作所基礎研究所
-
横澤 宏一
日立製作所基礎研究所
-
栗城 眞也
北海道大学電子科学研究所
-
平野 悟
北海道大学電子科学研究所
-
松田 瑞史
室蘭工業大学
-
栗城 眞也
北海道大学
-
横澤 宏一
北海道大学保健学研究院
-
横澤 宏一
日立製作所 中央研究所
-
横澤 宏一
北海道大学大学院保健科学院除健科学研究院:アアルト科学技術大学
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