集束イオンビームを用いたYBCO薄膜の超伝導性制御(材料/一般)
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概要
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集束イオンビーム(Focused Ion Beam : FIB)を直接照射,または照射後に臭素溶液を用いたケミカルエッチングを併用することにより,YBCO薄膜の特定の部位の超伝導性を深さ方向に制御する加工法を試みた.種々の加速電圧を用いて試料にFIBを照射した結果,YBCO薄膜中に形成される格子欠陥(ダメージ)層の深さは加速電圧の大きさで制御でき,その深さ以下の深部のYBCOの超伝導性は良好であることがわかった.このダメージ層は臭素エッチング液に対する溶解度が大きいため,これを利用してこの部分のみを除去することが可能である.また,YBCO薄膜上に堆積したAu層を通してイオンビームを照射することにより,より制御性よくダメージ層の厚みをコントロールできることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-11
著者
-
高橋 篤司
北海道大学電子科学研究科
-
松田 端史
室蘭工業大学
-
栗城 眞也
北海道大学電子科学研究所
-
松田 瑞史
室蘭工業大学
-
栗城 眞也
東京電機大学先端工学研究所
-
松田 瑞史
室蘭工業大学工学部
-
栗城 眞也
北海道大学
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