高Jc YBCO 薄膜の作製と粒界接合特性の検討

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概要

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高温超伝導体SQUID磁束計の感度の向上させるため、パルスレーザ堆積法を用いたYBCO薄膜の成膜条件の改善を行なった。チャンバー内壁を十分に脱ガスして真空排気し、基板温度を厳密に制御することで高いT_c(≈ 89〜90K)、J_c(≧5×10^6 A/cm^2)を有するYBCO薄膜の作製が可能になった。また、RRR(残留抵抗比)とJ_cの値に相関があることが確認された。膜質改善後に傾角30度のSTOバイクリスタル基板上に粒界接合型のSQUIDを作製したところ、I_cR_n積は液体窒素温度77Kで100〜250μVであり、I_cR_n ∝ (J^<GB>_c)^<1/2>の関係が見られた。また70pHのインダクタンスをもつSQUIDの変調電圧は20〜50μVとなり、成膜条件の改善により粒界接合、SQUIDの特性の向上が得られた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-07-12

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