直接磁束検出法によるNb薄膜VTBのボルテックス・ダイナミクスの解析
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概要
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超伝導薄膜素子内を運動するボルテックスのダイナミクスを解析するために直接磁束検出装置を平面グラジオメータを用いて製作し、エピタキシャルNb薄膜variable-thickness-bridge(VTB)のV-Iおよび磁束ノイズ特性を測定した。ボルテックス運動のオンセットから臨界電流Icを決定し、Ic以上で磁束のマルチプル・ステップ・ノイズを観測した。最小ステップ幅から磁束のゆらぎは単一のボルテックスの運動によると考えられ、連続してVTB内に入り込むことによって個々のパルスが重ね合わさってゆらぎが生じたと考えられる。磁束ノイズ特性から得られて描像をもとに簡単なガス流モデルでボルテックス・ダイナミクスの解析を試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-16
著者
-
中山 哲
エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)
-
平野 悟
山形大学工学部
-
師岡 利光
セイコーインスツルメンツ
-
松田 端史
室蘭工業大学
-
栗城 真也
北海道大学・電子科学研究所
-
平野 悟
北海道大学電子科学研究所
-
松田 瑞史
室蘭工業大学
-
平田 恵啓
北海道大学電子科学研究所
-
師岡 利光
Sii
-
師岡 利光
セイコー・インスツルメンツ株式会社
-
中山 哲
セイコー・インスツルメンツ株式会社
-
中山 哲
セイコー・インスツルメンツ
-
松田 瑞史
室蘭工業大学工学部
-
平野 悟
山形大
-
平野 悟
山形大 工
-
平田 恵啓
北海道大学 電子科学研究所
-
栗城 真也
北海道大学 電子科学研究所
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