容量成分を考慮したhigh-Tc SQUIDの動作解析
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概要
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SrTiO_3など誘電率の高い基板上に高温超伝導SQUIDを作製する場合、インダクタンスのスリット部などに無視できない浮遊容量が生じ、共振現象等によってSQUIDの特性に影響を与えることが考えられる。ジョセフソン素子部に並列に、あるいはインダクタンスに並列に浮遊容量成分が存在するときの高温(77K)動作SQUIDの特性について、数値シミュレーションと実験データとの比較を行って、容量成分のSQUID出力に対する影響を調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-24
著者
-
鈴木 大介
北海道大学病院小児科
-
鈴木 大介
電子技術総合研究所
-
松田 端史
室蘭工業大学
-
栗城 真也
北海道大学・電子科学研究所
-
松田 瑞史
室蘭工業大学
-
久保 真輝
北海道大学電子科学研究所
-
増澤 和樹
室蘭工業大学電気電子工学科
-
鈴木 大介
北海道大学医学部小児科
-
栗城 真也
北海道大学 電子科学研究所
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