Nb/TA-O/TA/epitaxial NB Josephson接合の作製
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概要
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エピタキシャルNb下部電極を持つJosephson接合として、 Taをoverlayerとして用いた素子を試作した。Ta/epitaxial Nb二層膜についてX線回折および抵抗測定を行なった結果Ta overlayerは4.2K以上で超伝導転移するbcc相として成膜し接合の近接層として良好な特性であることがわかった。また表面をAFM観察した結果従来多く用いられてきたAlよりも一様にNbを被覆していることがわかった。RF酸化によりJc=10〜10^3A/cm^2の接合を作製することができたがサプギャップ領域でのリーク電流が大きく改善の余地があると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-13
著者
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