オンチップインダクタを集積したDC-DCコンバータICの内部ローカルEMIについて
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概要
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パワーMOS-FETと制御回路を一体化したLSIモジュールの上にインダクタを集積したワンチップDC-DCコンバータICの開発が進められているが,LSI内の回路配線とインダクタが極めて接近するため,インダクタの交流漏洩磁束によるLSIへの電磁雑音の問題が生じる可能性がある。本論文は,オンチップインダクタを集積したDC-DCコンバータICの内部ローカルEMIについて,2次元有限要素法を用いてインダクタの漏洩磁束分布,ならびに半導体基板中の誘導雑音について解析し,種々の検討を行ったものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-18
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