超高周波高出力SiMOSFETドハティ増幅器の実験的検討
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概要
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マイクロ波ドハティ増幅器の実用的な設計法を用いて製作した超高周波高出力SiMOSFETドハティ増幅器の特性について実験的検討を行った.はじめに,マイクロ波ドハティ増幅器の実用的な設計法について述べる.次に,この設計法を用いて,超高周波高出力SiMOSFETドハティ増幅器を設計製作し,ピーク増幅器のゲートバイアス電圧条件および結合回路設計パラメータn値依存性について実験により詳細な評価検討を行った.その結果,ドハティ増幅器の広ダイナミックレンジの高効率特性を確認した.
- 2004-05-07
著者
-
前中 一介
姫路工業大学
-
藤田 孝之
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県立大学
-
前中 一介
兵庫県大
-
高山 洋一郎
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
原田 哲治
姫路工業大学
-
高山 洋一郎
兵庫県立大学
-
原田 哲治
九州大学大学院システム情報科学府(研究院)
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