ディジタルICのEMCモデル(LECCS-I/O)の多ビット出力ICへの拡張
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概要
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筆者らが提案したディジタルICのEMCモデル(LECCS)について議論する.これまでに,CMOS-IC/LSIの電源系高周波電流を表すモデルを負荷依存性を有するI/O部を含むモデル(LECCS-I/O)に拡張してきた.今回は,このモデルの精度及び多ビット動作時への拡張について検討した.まず,I/O部のドライバ負荷依存モデルの適用範囲を,多ビットの同時High-Low間遷移動作から一般的なバス動作であるHigh-Low混在動作へと拡張し,その有効性について検討した.次に,インピーダンスモデルの精度向上案として,ICチップ部のインピーダンスパラメータの切り出しについての検討を行った.この結果,チップ部のインピーダンスを考慮することにより,電源-グランド間インピーダンスの外部負荷容量依存性のシミュレーション精度が向上した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-11
著者
-
豊田 啓孝
岡山大学大学院自然科学研究科
-
古賀 隆治
岡山大学工学部
-
豊田 啓孝
岡山大学工学部通信ネットワーク工学科
-
和田 修己
岡山大学工学部
-
田中 大介
岡山大学大学院自然科学研究科
-
和田 修己
京都大学大学院工学研究科
-
近藤 洋平
岡山大学大学院自然科学研究科
-
大坂 英樹
日立製作所
-
WADA Osami
Department of Electrical Engineering of the Graduate School of Kyoto University
-
田中 大介
岡山大学工学部
-
近藤 洋平
岡山大学工学部
-
大坂 英樹
岡山大学工学部
-
大坂 英樹
株式会社日立製作所生産技術研究所
-
大坂 英樹
株式会社日立製作所 生産技術研究所
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