横波励振を目的とした面内配向ZnO薄膜の開発
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概要
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高周波領域で横波を励振するには,面内で分極軸が一方向に向いた圧電膜を用いなければならない.基板のエピタキシャルな拘束力を利用せず,面内で結晶c軸が一方向に揃ったZnO膜を作製できれば,種々の媒質に直接成膜して計測できる横波トランスデューサが実現できる.しかしながら,ZnOは基板面にc軸が垂直に強く配向する性質がある.本研究では通常のRFマグネトロンスパッタ法により,種々の基板上においてc軸が完全に面内配向しかつ一方向に揃った膜の作製に成功した.トランスデューサの性能は膜を構成する微結晶の配向性に強く依存する.そこで,この膜の微結晶の面内配向性を極点X線回折法,原子間力顕微鏡(AFM)により調べた.これにより成膜時のスパッタ装置内での基板位置が面内での配向に与える影響について明確にした.また面内配向膜,c軸配向が混在した薄膜を用いて横波の励振を試みた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-23
著者
-
松川 真美
同志社大学
-
大谷 隆彦
同志社大学工学部
-
柳谷 隆彦
同志社大学工学部
-
大谷 隆彦
同志社大
-
大谷 隆彦
同志社大学工学部電機工学科
-
渡辺 好章
同志社大学
-
野原 拓也
同志社大・工
-
野原 拓也
同志社大学工学部
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