銅/グラファイト界面の化学結合状態に対する添加元素効果
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概要
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Chemical bonding states of Cu/graphite interfaces were investigated by using the first-principles molecular orbital method with model clusters. It was found that Cu atoms in the interface layer undergo electronic overlap with C atoms at the first and second neighboring sites. Chemical bonding strength across the interface is strongly affected by the presence of Ti or Zr in the interface layer. The interfacial attractive interaction increases by doping the larger-sized Ti or Zr atom, although the interlayer distances between Cu and graphite become larger. Therefore, the interface strength of Cu/graphite can be improved by the additional elements at the interface.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2005-08-01
著者
-
幾原 雄一
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
幾原 雄一
ファインセラミックスセンター:東大総研:東北大wpi
-
幾原 雄一
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構マテリアル工学専攻
-
松永 克志
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
JUNG Yun
Deagu Machinery Institute
-
KIM Sang
Department of Metallic and Materials Engineering, Gyeongsang National University
-
LEE Sang
Korea Institute of Machinery & Materials
-
幾原 雄一
東京大学大学院工学研究科総合研究機構
-
幾原 雄一
東大 大学院工学系研究科
-
松永 克志
京都大学工学研究科材料工学専攻
-
Lee Sang
Korea Institute Of Machinery & Materials
-
Lee Sang-kwan
Korea Institute Of Machinery & Materials
-
Kim Sang
Department Of Chem. Eng. The University Of Seoul
-
Kim Sang
Department Of Metallic And Materials Engineering Gyeongsang National University
-
Lee Sang
Korea Aerospace Research Institute
-
Ikuhara Yuichi
World Premier International Research Center Advanced Institute For Materials Research Tohoku Univers
-
Lee Sang
Korea Advanced Institute Of Science And Technology
-
KIM Sang
Department of Anesthesiology and Pain Medicine, Chosun University Medical School
-
幾原 雄一
東京大学大学院 工学系研究科 総合研究機構
-
KIM Sang
Department of Agricultural Biotechnology, Seoul National University
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