低融点金属-導電性セラミックス複合体のPTCR特性
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概要
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Many metals show the steep increase of their specific resistivity on melting. This phenomenon was applied for producing new PTCR materials in the Pb Ti0_2 and Sn Ti0_2 systems. The xPb (100-x) Ti_<0.99>Nb_<0.01>0_2 samples with x> 15 showed the steep increase of resistivity (PTCR properties) around 327℃, and it was noted that the temperature coefficient of resistivity below the PTCR temperature changes from negative to positive with increasing Pb content. The xSn (100 x) Ti_<0.99>Nb_<0.01>0_2 samples showed PTCR properties around the melting point of Sn (232℃), but PTCR properties are less significant than those observed in the Pb Ti0_2 system.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1995-01-01
著者
-
高村 仁
東北大学工学部材料物性学科
-
田中 煕巳
東北大学工学部材料物性学科
-
本間 基文
東北大学工学部材料物性学科
-
岡田 益男
東北大学工学部材料物性学科
-
岡田 益男
東北大学大学院工学研究科
-
本間 基文
東北職業能力開発大学校
-
Takamura Hitoshi
Department Of Food Science And Nutrition
-
本間 基文
東北大学工学部
-
金高 祐仁
東北大学大学院
-
岡田 益男
東北大学工学部
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