Si (111) 7×7 再配列構造
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概要
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シリコンの (111) 表面は, 結晶内の原子配列と異なった7×7構造と呼ばれる再配列構造をもつ. この7×7構造の原子配置は, 1959年にこの再配列が見出されて以来, 表面物理あるいは表面結晶物理の謎であった. 最近, 走査トンネル顕微鏡による7×7表面の観察にはじまる一連の研究で, 構造の輪郭が次第につきとめられてきた. 我々は, 超高真空電子顕微鏡を用いて, 7×7構造の透過回折図形の強度を解析することによって, dimer adatom stacking-fault (双対電子・吸着原子・積層欠陥: DAS) モデルを得た. このモデルは, 他の実験・理論で検討され, ほぼ7×7構造の輪郭であると考えられるようになった. そうした7×7構造解析の歴史的側面に触れながら, DASモデルの詳細と解析や7×7構造の安定性などについて, 最近の話題を交えて紹介する.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1987-03-05
著者
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- 微粒子・原子層成長過程の高分解能・超高真空電子顕微鏡による"その場"観察
- 電子発見100年記念国際シンポジウム
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