Soft X-Ray Absorption and Emission Study of Silicon Oxynitride/Si(100) Interface
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概要
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- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2007-01-25
著者
-
原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
-
HARADA Yoshihisa
RIKEN/SPring-8
-
TOKUSHIMA Takashi
RIKEN/SPring-8
-
Mukai K
Univ. Tokyo Chiba Jpn
-
Shin S
Riken/spring-8
-
Shin Shik
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
-
YAMASHITA Yoshiyuki
The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo
-
OGUCHI Kazuhiro
The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo
-
MUKAI Kozo
The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo
-
YOSHINOBU Jun
The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo
-
TAMURA Naoyoshi
Advanced Process Development Department, C2-Project Div., Fujitsu Laboratories Ltd.
-
NOHIRA Hiroshi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Musashi Institute of Technology
-
HATTORI Takeo
Research Center for Silicon Nano-Science, Musashi Institute of Technology
-
Shin S
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
-
Tamura Naoyoshi
Advanced Process Development Department C2-project Div. Fujitsu Laboratories Ltd.
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