Improved External Efficiency InGaN-Based Light-Emitting Diodes with Transparent Conductive Ga-Doped ZnO as p-Electrodes
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概要
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- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2004-02-01
著者
-
Yamada Akira
Frontier Research Program The Institute Of Physical And Chemical Research (riken)
-
Fons P
Optoelectronic Materials And Devices Group Photonics Research Institute National Institute Of Advanc
-
NIKI Shigeru
Optoelectronics Division, Electrotechnical Laboratory
-
YAMADA Akimasa
Optoelectronics Division, Electrotechnical Laboratory
-
FONS Paul
Optoelectronics Division, Electrotechnical Laboratory
-
ITO Norikazu
Optical Device Research and Development Division, Rohm Company Limited
-
SONOBE Masayuki
Optical Device Research and Development Division, Rohm Company Limited
-
Fons Paul
Optoelectronic Materials And Devices Group Photonics Research Institute National Institute Of Advanc
-
NAKAHARA Ken
Optical Devices R&D Center, ROHM Co., Ltd.
-
TAMURA Kentaro
Optical Devices R&D Center, ROHM Co., Ltd.
-
SAKAI Mitsuhiko
Optical Devices R&D Center, ROHM Co., Ltd.
-
NAKAGAWA Daisuke
Optical Devices R&D Center, ROHM Co., Ltd.
-
TAKASU Hidemi
Optical Devices R&D Center, ROHM Co., Ltd.
-
TAMPO Hitoshi
Optoelectronic Materials and Devices Group, Photonics Research Institute, National Institute of Adva
-
MATSUBARA Koji
Optoelectronic Materials and Devices Group, Photonics Research Institute, National Institute of Adva
-
IWATA Kakuya
Optoelectronic Materials and Devices Group, Photonics Research Institute, National Institute of Adva
-
Nakagawa D
Rohm Co. Ltd. Kyoto Jpn
-
Tampo Hitoshi
Optoelectronic Materials And Devices Group Photonics Research Institute National Institute Of Advanc
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