Study on Behavior of Electron Irradiation Defects and Impurities of Czochralski Silicon with Annealing by Positron Annihilation
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概要
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- Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyoの論文
- 2001-02-01
著者
-
堀 史説
阪府大先端研
-
OSHIMA Ryuichiro
Research Institute for Advanced Science & Technology, Osaka Prefecture University
-
大嶋 隆一郎
大阪ニュークリアサイエンス協会
-
大嶋 隆一郎
大阪大学基礎工学部
-
Oshima R
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
-
Oshima Ryuichiro
Research Institute For Advanced Science And Technology Osaka Prefecture University
-
HISAMATSU Tadashi
National Space Development Agency of Japan
-
Hori Fuminobu
Research Institute For Advanced Science And Technology Osaka Prefecture University
-
TAMANO Takuya
Research Institute for Advanced Science and Technology, Osaka Prefecture University
-
Tamano Takamichi
Research Institute For Advanced Science And Technology Osaka Prefecture University
-
Hisamatsu T
National Space Development Agency Of Japan
-
Tamano Takuya
Research Institute For Advanced Science And Technology Osaka Prefecture University
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