23aPS-29 Bi-La-Ca-Cu-O超伝導体におけるBiのCd置換効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-03-10
著者
-
多賀谷 公仁
阪府大総科
-
笹倉 裕之
浜松医大医
-
大嶋 隆一郎
大阪ニュークリアサイエンス協会
-
岡 喬
阪府大先端研
-
大嶋 隆一郎
阪府大先端研
-
吉田 健一
(独)日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
-
岡 喬
大放研
-
津久井 茂樹
阪府大先端研
-
吉田 健一
浜松医大医
-
大嶋 隆一郎
大阪大学基礎工学部
-
Oshima R
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
関連論文
- 20pPSA-14 (Pb,P)系1212相の合成と物性(20pPSA 領域8ポスターセッション(低温II(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 14aTJ-10 超音波還元法により調整した AuPt ナノ粒子の構造評価(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- (Pb, Cu)(Sr, La)_2(Gd, La)_2Cu_2O_z, (Bi, Cu)Sr_2(Er, Ce)_2Cu_2O_zの示す弱い超伝導性
- 31p-L-4 Bi-2222相の超伝導とマイクロ波磁気吸収
- 28aTA-10 Si単結晶におけるクラスターイオン照射効果(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aPS-42 ホウ素を含む新しいPb系1201相と1212相の超伝導(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 超音波照射法による合金微粒子の合成と構造制御 (特集 新産業創出と独創的研究)
- 28pYG-3 超音波還元法により作製した貴金属系超微粒子とその特性評価
- 鉄-銅合金中の銅析出物形成に対する炭素原子の効果 (「原子炉圧力容器材料の照射脆化機構」研究会報告)
- VII. 超高硬度材料 ダイヤモンドの電子線照射効果
- 30p-YK-13 液相より急冷したSiの点欠陥集合体の電顕観察
- Siの融解・凝固の HVTEM 観察と格子欠陥 : バルク結晶成長シンポジウムII
- 3p-M-12 Siの融解-凝固のHVEM観察と格子欠陥
- 30a-N-7 3c-SiCの電子線照射欠陥
- 25aYD-8 Fe-Pt合金のマルテンサイト変態と磁歪
- 28aXT-2 CZ-Si中潜在欠陥に対する添加ホウ素元素の効果に関する陽電子消滅測定(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- ダイアモンド博物館(18)ダイアモンドの遠戚・徒党
- ダイアモンド博物館(19)ダイアモンドの科学技術の外周
- ダイアモンド博物館(17)ダイアモンドの兄弟・義兄弟
- ダイアモンド博物館(16)ダイアモンドと半導体
- ダイアモンド博物館(15)ダイアモンドの機械工業的な応用
- 特集にあたって
- 31pYG-2 Cz-Si 中潜在欠陥の陽電子消滅測定
- 29pXJ-8 FeRh 合金中の非平衡点欠陥の陽電子消滅測定
- 19pTG-12 B2型金属間化合物FePh及びFeAl合金中の格子欠陥の陽電子消滅寿命
- 17pTG-11 中性子線照射によるCz-Siの欠陥挙動
- 17pTG-9 シリコン中の水素・点欠陥複合体濃度の電子照射温度依存性
- 29pYC-13 銅酸化物ナノ微粒子の自己組織化構造
- 27pYC-8 核分裂中性子線照射non-dope Cz-Siの欠陥挙動
- 3a-Z-10 天然及び人工ダイヤモンドの格子欠陥の電顕観察
- 27aPS-20 Bi(Pb)-Sr-RE(Zr)-Cu-O系における2222相の合成とその物性(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pPSA-27 Cu系1232相の合成とその物性(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aPS-39 Ru-Sr-Gd(Ln)-Ce-Cu-O系における1232相の超伝導(領域8 ポスターセッション)(領域8)
- 22aPS-5 Ta 系層状銅酸化物の合成と物性
- 28aPS-25 M-Sr-Ln(Ce)-Cu-O 系 (M=Ru, Mo, Nb) における 1232 相の合成とその物性
- 18pPSA-33 Ru系1232相の合成とその物性
- 23aPS-29 Bi-La-Ca-Cu-O超伝導体におけるBiのCd置換効果
- 29a-K-3 Pb-Sr-La-Cu-O系における3212相の合成とその物性
- Bi(Pb)-Sr-Eu(Th)-Cu-O系における2222相の超伝導
- 28p-PSA-10 (Bi, Pb)_2Sr_2(Ln, Ce)_2Cu_2O_2系における超伝導
- 28p-PSA-53 PLD法によるBi-La-Ca-Cu-OのBi-2212薄膜の作製とその物性
- 30p-PSB-17 レーザーアブレーション法による新しい超伝導体Bi-La-Ca-Cu-O薄膜の作製
- 3a-PS-31 Bi_2(Sr, Re)_2(Re, Re')_2Cu_2O_2系における2222相の合成とその物性
- 12p-PSA-53 (Bi, Cu)Sr_2(Ln, Ce)_2O_z系における1222相の合成とその物性
- CZ-Siのring-OSFの潜在欠陥
- 25pY-12 高速変形したFeRh合金における陽電子消滅寿命
- 24aPS-92 CuIr_4S_4の低温結晶構造解析III
- 1p-YL-13 CuIr_2S_4の低温結晶構造解析II
- 7p-X-9 CuIr_2S_4の低温結晶構造解析
- 23aPS-132 新規(Pb, S)系1212相の合成と物性(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28a-T-3 FePd合金の規則化初期過程
- 28p-P-7 高強度の高速中性子照射を行ったSiの格子欠陥III
- 13a-DK-5 高強度の高速中性子照射を行ったSiの格子欠陥II
- 1a-D-12 高強度の高速中性子照射をSiの格子欠陥
- 30p-ZN-6 中性子照射Si中の二次欠陥
- 29p-K-9 Cz及びFz-Siにおける中性子損傷欠陥の電顕観察
- 27a-K-12 ダイヤモンドの結晶欠陥に対する電子線照射効果
- 26a-T-2 Mcz-siにおける電子線照射誘起欠陥
- 27pPSA-57 Ru系1232相の超伝導へのRuサイトのSn置換効果(27pPSA 領域8ポスターセッション(低温I(Cu,Mn,Co,Ru,V酸化物)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-121 Pb-B-Sr-Ln(Ce)-Cu-O系における1222相の合成とその物性(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pYP-6 低温低線量電子線照射non-dope CZ-Siの陽電子消滅測定
- 25pYP-2 添加不純物濃度の異なるCz-Siの陽電子消滅寿命測定
- 25aYP-10 B2型金属間化合物FeAlの陽電子寿命測定
- シリコンの融解過程における電子顕微鏡その場観察
- 24pY-11 Siの固-液界面の電顕観察
- 27aYL-13 低線量電子線照射non-dope Cz-Siの陽電子消滅寿命測定
- 27aYL-12 金属疲労における欠陥挙動の陽電子消滅測定
- 陽電子消滅寿命法によるポリシランフィルム中の自由体積
- 陽電子消滅寿命法によるポリシランフィルム中の自由体積
- 2p-F-9 D及びHeイオン照射したSiの格子欠陥
- 2p-F-8 電子線照射下でのSi中の点欠陥の挙動
- 23aPS-28 Bi_2Pr_xCa_Cu_2O_z系のBi-2212薄膜におけるPr置換効果
- 23aPS-26 Bi_2La_xCa_Cu_2O_z系のBi-2212薄膜における超伝導とその物性
- FeRh合金の強磁性-反強磁性転移に対する熱処理効果
- シリコンの融解-凝固過程の電子顕微鏡その場観察(バルク成長分科会特集 : 結晶の完全性を目指して)
- 陽電子寿命測定法によるポリシラン膜の内部構造
- 30p-PSA-17 (Bi,Pb)_2Sr_2(Re,Ce)_2Cu_2O_x(RE=Sm,Eu,Y)のNMR
- 30p-PSA-30 高温超伝導体の微細環集合に於ける特性測定(IV)
- 25pK-3 超音波照射法によるナノ微粒子合金の創製と構造制御
- ダイアモンド博物館(13)ダイアモンドの格子欠陥(3)
- ダイアモンド博物館(14)ダイアモンドの劈開と硬度
- ダイアモンド博物館(12)ダイアモンドの格子欠陥(2)
- ダイアモンド博物館(11)ダイアモンドの格子欠陥(1)
- 超高圧電顕法によるCz-Siの点欠陥と酸素不純物の研究
- 超高圧顕微鏡法から見たシリコン中の点欠陥と不純物の挙動
- 15a-T-8 BiGd_yCa_Cu_2O_xの超伝導とマイクロ波磁気吸収
- Study on Behavior of Electron Irradiation Defects and Impurities of Czochralski Silicon with Annealing by Positron Annihilation
- Study on Defects of Solar Cell Silicon Irradiated with 1 MeV Electrons by Positron Annihilation
- FePd合金の規則化初期過程に及ぼす磁場効果
- 26a-T-4 Si中の陽子線照射欠陥の不純物効果
- 4p-YG-1 中性子照射Si中の格子欠陥の高分解能電子顕微鏡観察
- 25p-H-12 高温・高圧下で液相より結晶化したダイヤモンドの格子欠陥の電顕観察
- Formation of Stacking Fault Tetrahedra in Silicon Rapidly Solidified from Melt
- 26a-T-8 鉄中の銅析出物形成に対する炭素原子の影響
- 23pYP-5 4に対するコメント : HRTEM観察を中心として
- 26a-T-5 B-dope Siの陽電子消滅寿命測定
- 25aPS-38 新(Pb,S)系1222相の合成と超伝導(25aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 6pPSA-54 Ru(Nb)系1232相の合成とその物性(高温超伝導,領域8)
- 31a-PS-41 (Bi_Pb_y)Sr_2(RE_Th_x)Cu_2O_z (RE=Sm,Eu,Gd)の超伝導(31aPS 低温(高温超伝導),低温)
- 24pPSA-48 Ru系1232相の合成とその物性 II(24pPSA 理論・高温超伝導,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))