陽電子寿命測定法によるポリシラン膜の内部構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
陽電子寿命測定法は空体積型の欠陥に関する情報を抽出してくれる強力な実験方法である。今回はこの方法を用いて、さまざまな条件でポリシラン内部の自由空間体積を測定した。ポリシラン膜の配向処理と温度変化による内部構造変化、そしてポリシラン粉末のペレット成形時の圧力による内部構造変化を調べ、それぞれにおいて極めて興味深い結果が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-06
著者
-
堀 史説
大阪府立大
-
堀 史説
阪府大先端研
-
堂丸 隆祥
大阪府立大学付属研究所
-
中村 知己
大阪府立大学先端科学研究所
-
内藤 裕義
大阪府立大学大学院工学研究科
-
岡 邦雄
大阪府立大学先端科学研究所
-
大嶋 隆一郎
大阪ニュークリアサイエンス協会
-
大嶋 隆一郎
大阪府立大学先端科学研究所
-
大嶋 隆一郎
大阪大学基礎工学部
-
葛西 正
大阪府立大学 先端科学研究所
-
内藤 裕義
大阪府立大学 先端科学研究所
-
堂丸 隆祥
大阪府立大学工学研究科
-
岡 邦雄
大阪府立大学工学研究科応用化学科
関連論文
- 20aGL-5 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aHT-8 FeRhバルク合金のEXAFSによる構造解析と照射誘起強磁性(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23aHY-10 Zr基3元系バルク非晶質金属中の自由体積構造の組成依存性(23aHY 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20aTC-4 ZrCuAlバルク金属ガラスに対する粒子線照射効果(20aTC 放射線物理・原子分子放射線融合(イオンビーム固体・放射線損傷),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 22pRE-4 高エネルギーイオン照射によって誘起されたFe-Rh合金における微細磁気構造(放射線物理(固体内衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 結晶Si_3N_4のArFエキシマレーザー照射効果
- 22pTD-1 Zr_Cu_Al_金属ガラスの熱活性化過程における自由体積評価(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYK-2 ZrCuAl金属ガラス中における自由体積の陽電子消滅法による評価(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pXD-8 超音波照射により作成したAuPdナノ微粒子の構造評価(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pRB-14 高エネルギーイオン照射したZrCuAl金属ガラスの陽電子消滅測定(放射線物理(固体内原子衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 14aTJ-10 超音波還元法により調整した AuPt ナノ粒子の構造評価(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- Si微結晶分散有機ポリシランの光電物性
- 28aTA-10 Si単結晶におけるクラスターイオン照射効果(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pYK-9 FeRhのイオン照射誘起強磁性における高温アニール効果(シミュレーション,転位,点欠陥・照射損傷),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pPSA-44 超音波照射法により作成したコアシェルAu-Pdナノ微粒子の表面・界面構造と電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pXB-12 超音波照射法により作成したコアシェル型Au-Pd超微粒子の構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26pWD-6 酸化物のカーボンクラスターイオン照射効果(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aYK-1 超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子の構造と電子状態(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 照射場を利用したナノサイズ金属微粒子の構造とその特性
- 29pTE-4 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pTD-14 第一原理PAW法によるAu@Pdコア・シェル微粒子の原子構造と吸着子の局所的な反応性(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-15 Au-Pd二層スラブ構造における電子状態の第一原理計算による評価(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-13 二層分離型Au-Pd界面構造および電子状態の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-14 第一原理PAW法によるAu-Pdコア・シェル微粒子の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aPS-29 超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子表面近傍の電子状態の陽電子消測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pYG-3 超音波還元法により作製した貴金属系超微粒子とその特性評価
- 高速変形したB2型FeRh合金中の格子欠陥の陽電子消滅測定 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 中性子照射Cz-Siの欠陥挙動における陽電子消滅測定 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- 鉄-銅合金中の銅析出物形成に対する炭素原子の効果 (「原子炉圧力容器材料の照射脆化機構」研究会報告)
- 陽電子消滅法による金属疲労の前駆現象の検出 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 23pWZ-9 γ線照射還元により生成したAu-Pd二元系ナノ微粒子の構造評価(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 30p-YK-13 液相より急冷したSiの点欠陥集合体の電顕観察
- Siの融解・凝固の HVTEM 観察と格子欠陥 : バルク結晶成長シンポジウムII
- 3p-M-12 Siの融解-凝固のHVEM観察と格子欠陥
- 25aXA-7 Zr基バルク金属ガラスが有する局所構造の組成依存性(25aXA 液体・アモルファス,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 28aXT-2 CZ-Si中潜在欠陥に対する添加ホウ素元素の効果に関する陽電子消滅測定(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 29pXJ-8 FeRh 合金中の非平衡点欠陥の陽電子消滅測定
- 19pTG-12 B2型金属間化合物FePh及びFeAl合金中の格子欠陥の陽電子消滅寿命
- 17pTG-11 中性子線照射によるCz-Siの欠陥挙動
- 17pTG-9 シリコン中の水素・点欠陥複合体濃度の電子照射温度依存性
- 27pYC-8 核分裂中性子線照射non-dope Cz-Siの欠陥挙動
- 28pXP-3 高速重イオンによるFe-Rh合金の照射誘起磁気相変態(放射線物理)(領域1)
- 21aXA-4 高エネルギー粒子線照射した Fe-Rh 合金の構造変化と磁性
- 金属塩化物で修飾したポリメチルシラン前駆体の合成とセラミゼーション(有機-無機変換プロセス)
- 溶融紡糸によるポリカルボシラン-ポリメチルシランブレンドポリマーからの炭化ケイ素基セラミック繊維の合成(有機-無機変換プロセス)
- 放射線照射により高架橋化したポリシランのSiC転換過程
- 非イオン性極性置換基を有するポリシランの性質
- CZ-Siのring-OSFの潜在欠陥
- 主鎖にアントラセンユニットを含むポリシランの光電特性
- 1G16 ポリシラン系高架橋前駆体のセラミックス化機構
- 1G14 共重合比の異なる有機ケイ素ポリマーの還流熱処理による炭化ケイ素の作成と評価
- Si-H基を有するポリシランからのアモルファスSiCの合成とセラミックス化過程
- 1G03 炭化ケイ素前駆体へのポリメチルシランの添加効果 (2)
- 1G01 架橋性 SiC 前駆体ポリマーのセラミゼーション
- 25pY-12 高速変形したFeRh合金における陽電子消滅寿命
- ポリシランからの電界発光
- 29pXD-9 第一原理計算による貴金属ナノ微粒子のコア・シェル界面電子構造(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYP-6 低温低線量電子線照射non-dope CZ-Siの陽電子消滅測定
- 25pYP-2 添加不純物濃度の異なるCz-Siの陽電子消滅寿命測定
- 25aYP-10 B2型金属間化合物FeAlの陽電子寿命測定
- シリコンの融解過程における電子顕微鏡その場観察
- 24pY-11 Siの固-液界面の電顕観察
- 27aYL-13 低線量電子線照射non-dope Cz-Siの陽電子消滅寿命測定
- 27aYL-12 金属疲労における欠陥挙動の陽電子消滅測定
- 陽電子消滅寿命法によるポリシランフィルム中の自由体積
- 陽電子消滅寿命法によるポリシランフィルム中の自由体積
- アカウキクサ葉中のcavityに存在するガスの単離とその性質
- シリコンの融解-凝固過程の電子顕微鏡その場観察(バルク成長分科会特集 : 結晶の完全性を目指して)
- 陽電子寿命測定法によるポリシラン膜の内部構造
- 高純度鉄中の不純物銅原子の照射誘起析出
- ポリジオクチルシランの構造とその温度依存性
- 貴金属担持触媒を用いた湿式酸化によるp-クロロフェノ-ルの分解
- 領域10,9「ナノ微粒子の構造及び電子状態の制御とその機能性の展開」(2007年春季大会シンポジウムの報告)
- 28aTA-7 GeV重イオン照射による貴金属ナノ微粒子の作製と評価(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pYR-10 高エネルギー放射線による非平衡反応場を利用したナノ微粒子の生成と評価(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pYJ-11 ガンマ線照射による貴金属イオン還元反応とナノ微粒子生成(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- ポリシランからのセラミックスバルク体の作製
- ポリシランからのセラミックスバルク体の作製
- ポリメチルシランを含む有機ケイ素高分子ブレンド前駆体からの繊維形状を有するセラミックスの合成
- Study on Behavior of Electron Irradiation Defects and Impurities of Czochralski Silicon with Annealing by Positron Annihilation
- Study on Defects of Solar Cell Silicon Irradiated with 1 MeV Electrons by Positron Annihilation
- ポリジメチルシラン主鎖への酸素導入による物性変化
- ポリメチルフェニルシランの光学挙動の温度依存性
- 26a-T-4 Si中の陽子線照射欠陥の不純物効果
- Formation of Stacking Fault Tetrahedra in Silicon Rapidly Solidified from Melt
- 26a-T-8 鉄中の銅析出物形成に対する炭素原子の影響
- 鉄ロジウム合金の高エネルギーイオンビームによる磁性改質
- 26a-T-5 B-dope Siの陽電子消滅寿命測定
- 30p-YK-5 宇宙用Siの電子線照射欠陥II
- 30p-YK-2 照射Si中の陽電子消滅測定に対する不純物効果
- 6a-S-6 陽子照射されたCZ-Siにおける陽電子消滅測定
- 6a-S-5 宇宙用Siの電子線照射欠陥
- 30p-E-7 B-dope Cz-SIの電子線照射欠陥
- 21aEB-5 H^+照射により照射欠陥及び水素同時注入したB2型FeAlの低速陽電子ビーム測定(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23aGQ-8 γ線照射還元を用いて作製した金ナノロッドの構造と特性(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aEB-3 高速イオンビームによるCeO_2の磁性制御(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aGQ-3 Zr-Cu-Alバルク金属ガラス中の自由体積緩和に対する組成依存性の陽電子消滅測定(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aEB-4 粒子線照射したZrCuAlバルク金属ガラスの特性変化と内部構造(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- Modification of Magnetic Properties of FeRh Intermetallic Compound by Using Energetic Icon Beam Irradiation
- 24aXR-7 超音波直接還元法で作成したAu-Pd合金超微粒子(24aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))