放射線照射により高架橋化したポリシランのSiC転換過程
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概要
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我々は炭化ケイ素(SiC)への前駆体としてポリメチルシラン(PMS)を取りあげ, そのセラミックス化について研究を行っている.合成直後のPMSはそのセラミックス化率が低い(33.5%)ため, ^<60>Coγ線をPMSに照射することでポリマーを高架橋させセラミック化率の向上を行っている.γ線の吸収線量が12.6MGyの時, 70.5%と非常に高いセラミック化率となった.熱分解時に発生するガスの分析を行った結果, シラン系ガスの発生が観察された.比重の大きいケイ素系ガスの発生が, PMSの主な質量減少の原因である.また, 高架橋化したPMSのSiC過程を調べると, 大きく3つの段階を経てポリマーからSiCセラミックスに無機化が進行すること明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-28
著者
-
成澤 雅紀
大阪府立大院工
-
岡村 清人
大阪府立大院工
-
成澤 雅紀
Department Of Materials Science Graduate School Of Engineering Osaka Prefecture University
-
成澤 雅紀
大阪府立大学工学研究科
-
岡村 清人
(株)高温材料研究所
-
堂丸 隆祥
大阪府立大学付属研究所
-
吉田 武司
大阪府立大学工学研究科物質系専攻材料工学分野
-
岡 邦雄
大阪府立大学先端科学研究所
-
岡村 清人
東北大金研
-
西岡 昌紀
大阪府立大学工学研究科マテリアル工学科
-
片瀬 嘉郎
大坂府立大学工学研究科
-
片瀬 嘉郎
大阪府立大学工学研究科物質系専攻材料工学分野
-
岡村 清人
大阪府立大学工学部
-
岡村 清人
(株)超高温材料研究所
-
堂丸 隆祥
大阪府立大学工学研究科
-
岡 邦雄
大阪府立大学工学研究科応用化学科
-
岡村 清人
大阪府立大学 工学部
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