3p-Q-2 酸化処理したFz-Siの電子線照射誘起二次欠陥の形成
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1989-09-12
著者
関連論文
- 14aTJ-10 超音波還元法により調整した AuPt ナノ粒子の構造評価(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 28aTA-10 Si単結晶におけるクラスターイオン照射効果(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 超音波照射法による合金微粒子の合成と構造制御 (特集 新産業創出と独創的研究)
- 28pYG-3 超音波還元法により作製した貴金属系超微粒子とその特性評価
- 鉄-銅合金中の銅析出物形成に対する炭素原子の効果 (「原子炉圧力容器材料の照射脆化機構」研究会報告)
- VII. 超高硬度材料 ダイヤモンドの電子線照射効果
- 30p-YK-13 液相より急冷したSiの点欠陥集合体の電顕観察
- Siの融解・凝固の HVTEM 観察と格子欠陥 : バルク結晶成長シンポジウムII
- 3p-M-12 Siの融解-凝固のHVEM観察と格子欠陥
- 30a-N-7 3c-SiCの電子線照射欠陥
- 25aYD-8 Fe-Pt合金のマルテンサイト変態と磁歪
- 28aXT-2 CZ-Si中潜在欠陥に対する添加ホウ素元素の効果に関する陽電子消滅測定(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- ダイアモンド博物館(18)ダイアモンドの遠戚・徒党
- ダイアモンド博物館(19)ダイアモンドの科学技術の外周
- ダイアモンド博物館(17)ダイアモンドの兄弟・義兄弟
- ダイアモンド博物館(16)ダイアモンドと半導体
- ダイアモンド博物館(15)ダイアモンドの機械工業的な応用
- 特集にあたって
- 31pYG-2 Cz-Si 中潜在欠陥の陽電子消滅測定
- 29pXJ-8 FeRh 合金中の非平衡点欠陥の陽電子消滅測定
- 19pTG-12 B2型金属間化合物FePh及びFeAl合金中の格子欠陥の陽電子消滅寿命
- 17pTG-11 中性子線照射によるCz-Siの欠陥挙動
- 17pTG-9 シリコン中の水素・点欠陥複合体濃度の電子照射温度依存性
- 29pYC-13 銅酸化物ナノ微粒子の自己組織化構造
- 27pYC-8 核分裂中性子線照射non-dope Cz-Siの欠陥挙動
- 3a-Z-10 天然及び人工ダイヤモンドの格子欠陥の電顕観察
- 23aPS-29 Bi-La-Ca-Cu-O超伝導体におけるBiのCd置換効果
- 30p-T-8 非晶質Fe-Zr合金の構造と安定性
- 1a-E-6 非晶質Fe-Zr合金のメスバウアー効果
- CZ-Siのring-OSFの潜在欠陥
- 25pY-12 高速変形したFeRh合金における陽電子消滅寿命
- 24aPS-92 CuIr_4S_4の低温結晶構造解析III
- 1p-YL-13 CuIr_2S_4の低温結晶構造解析II
- 7p-X-9 CuIr_2S_4の低温結晶構造解析
- 28a-T-3 FePd合金の規則化初期過程
- 28p-P-7 高強度の高速中性子照射を行ったSiの格子欠陥III
- 13a-DK-5 高強度の高速中性子照射を行ったSiの格子欠陥II
- 1a-D-12 高強度の高速中性子照射をSiの格子欠陥
- 30p-ZN-6 中性子照射Si中の二次欠陥
- 29p-K-9 Cz及びFz-Siにおける中性子損傷欠陥の電顕観察
- 27a-K-12 ダイヤモンドの結晶欠陥に対する電子線照射効果
- 26a-T-2 Mcz-siにおける電子線照射誘起欠陥
- 25pYP-6 低温低線量電子線照射non-dope CZ-Siの陽電子消滅測定
- 25pYP-2 添加不純物濃度の異なるCz-Siの陽電子消滅寿命測定
- 25aYP-10 B2型金属間化合物FeAlの陽電子寿命測定
- シリコンの融解過程における電子顕微鏡その場観察
- 24pY-11 Siの固-液界面の電顕観察
- 27aYL-13 低線量電子線照射non-dope Cz-Siの陽電子消滅寿命測定
- 27aYL-12 金属疲労における欠陥挙動の陽電子消滅測定
- 陽電子消滅寿命法によるポリシランフィルム中の自由体積
- 陽電子消滅寿命法によるポリシランフィルム中の自由体積
- 2p-F-9 D及びHeイオン照射したSiの格子欠陥
- 2p-F-8 電子線照射下でのSi中の点欠陥の挙動
- 3p-Q-2 酸化処理したFz-Siの電子線照射誘起二次欠陥の形成
- 5p-A3-2 重金属原子をドープしたSiの電子線照射誘起二次欠陥の挙動
- 27a-K-11 Siの電子線照射誘起二次欠陥形成の照射強度依存性
- 29p-RC-3 異なる温度で再照射したCzSiの電子線照射誘起二次欠陥の挙動
- 3a-M-2 C濃度の異なるCzSiの電子線照射誘起二次欠陥
- 23aPS-28 Bi_2Pr_xCa_Cu_2O_z系のBi-2212薄膜におけるPr置換効果
- 23aPS-26 Bi_2La_xCa_Cu_2O_z系のBi-2212薄膜における超伝導とその物性
- FeRh合金の強磁性-反強磁性転移に対する熱処理効果
- シリコンの融解-凝固過程の電子顕微鏡その場観察(バルク成長分科会特集 : 結晶の完全性を目指して)
- 陽電子寿命測定法によるポリシラン膜の内部構造
- 液体急冷法で作成したCu-Al-Ni合金のマルテンサイト変態と機械的特性
- Fe-Pd合金系のFCC-FCT熱弾性型マルテンサイト変態の電子顕微鏡観察
- 非晶質Co70Fe5Si12.5B12.5合金の結晶化過程
- Fe-Pd合金の規則化過程 (金属のミクロの世界) -- (透過電子顕微鏡写真)
- 3a-AC-3 非晶質Fe-B合金のメスバウアー効果
- 1a-D-7 非晶質Fe-Zr-Hのメスバウアー効果
- 28p-YC-8 Fe_3Pt合金のマルテンサイト変態前駆現象
- マルテンサイト転移の前駆現象(物性研短期研究会報告「一次相転移に伴うメゾスコピック構造の形成とそのダイナミックス」,研究会報告)
- Fe-Pt合金におけるfcc-fct,fcc-bctマルテンサイト変態(合金の相変態とその前駆現象,科研費研究会報告)
- 2a-KE-10 非晶質Fe-B合金の高圧下メスバウアー分光
- 11p-L-11 Fe_3Ptマルテンサイトのメスバウァー効果
- 5p-P-6 Fe_3Ptマルテンサイト変態のXスバウァー効果 II
- 4p-YG-1 中性子照射Si中の格子欠陥の高分解能電子顕微鏡観察
- 3a-NK-1 Fe-Pd合金のメスバウアー分光
- 29a-H-6 HVEM法によるSiの格子欠陥の研究
- 25p-H-12 高温・高圧下で液相より結晶化したダイヤモンドの格子欠陥の電顕観察
- 4a-TB-8 Siの電子線照射欠陥
- 2a-KL-5 Siの電子線照射欠陥
- 14a-L-12 Siの電子線照射欠陥
- 2a-G-3 Siの格子欠陥のH. V. E. M.法による研究
- 30p-SG-17 HVEM法によるSiの格子欠陥の研究
- 1a-T-9 HVEM法によるSiの格子欠陥の研究
- 5a-NJ-1 HVEM法によるSiの格子欠陥の研究
- 1a-G-4 Fe-Pd合金における不規則-規則転移
- 28a-U-8 非晶質Fe-B合金の短範囲秩序
- 4p-Q-5 非晶質Fe-B合金のメスバウアー効果
- 30p-J-5 CZシリコンの2次欠陥
- 1p-TE-3 HVEM観察から見たシリコン中の点欠陥の挙動
- 1a KJ-7 非晶質Fe-B合金のメスバウアー効果
- 7p-M-14 Fe-Mn-Cマルテンサイト変態の前駆現象
- 3pM2-4 14MeV中性子照射Siの格子欠陥(格子欠陥)
- 30a-LG-7 200℃〜300℃で電子照射したSiの二次欠陥の挙動(格子欠陥)
- 3pM2-5 急冷処理したSiの電子線照射誘起二次欠陥の挙動(格子欠陥)
- 1p-K3-2 Fe-Pd合金のFCC-FCT変態における弾性異常とツイード組織(金属)
- 3a-A3-5 Siの電子線照射欠陥の核形成に及ぼす炭素の効果(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)
- 30p-T-4 SiにおけるD^+及びHe^+照射誘起欠陥(30pT 格子欠陥)
- 29p-T-6 人工ダイヤモンド薄膜の透過電顕観察(29pT 格子欠陥)