30a-LG-7 200℃〜300℃で電子照射したSiの二次欠陥の挙動(格子欠陥)

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1987-03-27

著者

• 藤田 英一

  阪大基礎工

• 大嶋 隆一郎

  阪大基礎工

• 華 国春

  阪大大学院

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