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NEC Electronics Corporation | 論文
- 40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- Time-Dependent Dielectric Breakdown Characterization of 90- and 65-nm-Node Cu/SiOC Interconnects with Via Plugs
- A 3-D Packaging Technology with Highly-Parallel Memory/Logic Interconnect
- (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
- (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Mechanical Shock Durability Studies of Sn–Ag–Cu–Ni BGA Solder Joints on Electroless Ni–P/Au Surface Finish
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- TiバリアメタルによるCu配線信頼性向上
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- C-12-31 冗長多値ロジックを用いた10Gb/s CMOS DEMUX IC
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- C-2-30 Ku帯オンチップマッチSi MOSFET MMIC
- 微細MOSFETを用いたSPSTスイッチ
- 2.4Gb/s CMOSワンチップ光通信受信IC
- 2.4Gb/s CMOS1チップ光受信器
- シリコン上のスパイラルインダクタのモデリング
- Durable Molecular Organic Electroluminescent Devices and Their Frequency Responses to a New Accurate Driving Method(Special Issue on Organic Materials for Optics and Electronics)
- White-Light-Emitting Material for Organic Electroluminescent Devices