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NEC Electronics Corporation | 論文
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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- 100nm世代SOC対応CMOSプロセス
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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- Application of Microwave and Millimeter-Wave Circuit Technologies to InGaP-HBT ICs for 40-Gbps Optical Transmission Systems(Active Devices/Circuits,Microwave and Millimeter-Wave Technology)
- 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- プロセス 0.1μm世代(UX6)トランジスタ技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- A 3-D Packaging Technology with Highly-Parallel Memory/Logic Interconnect
- Layout-Aware Compact Model of MOSFET Characteristics Variations Induced by STI Stress
- Luminescence Study of Thermally-Oxidized Porous Si under Subgap or Overgap Excitation
- Luminescence from Thermally Oxidized Porous Silicon
- Sub-Half-Micron Silicon Pattern Generation by Electron Beam Direct Writing on Polysilane Films
- Media Processing LSI Architectures for Automotives : Challenges and Future Trends(VLSI Technology toward Frontiers of New Market)
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
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