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NEC シリコンシステム研究所 | 論文
- 40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 分極緩和を考慮したFeRAM非線形信頼性予測モデル
- 弗素化アモルファスカ-ボン低誘電率膜の生成とULSI多層配線への適応 (特集 新材料の導入と半導体プロセス技術)
- (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
- (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- SiGe/Siフォトディテクタ搭載1Gb/sx8チャネルSi-OEICの開発
- 容量値のバイアス依存がないゲート容量素子の提案と差動構成PLLのループフィルタへの適用
- C-12-12 シグナルインテグリティ評価用100-GSa/sサンプリングオシロスコープマクロ(II)
- シグナルインテグリティ評価用100-Gsa/sサンプリングオシロスコープマクロの設計と評価
- C-12-6 シグナルインテグリティ評価用100-GSa/sサンプリングオシロスコープマクロの設計と評価
- 次世代システムLSIを支えるスーパーコネクト伝送線路技術
- Priority Queue Based Task Manager for Single Chip Parallel DSP
- 携帯マルチメディア端末向け低電力並列DSP
- 柔軟かつ高速な再構成を実現した動的再構成ロジックLSI
- C-12-34 動的再構成ロジックLSIの開発(2)
- C-12-33 動的再構成ロジックLSIの開発(1)
- ActiveLinkメモリシステムの3Dレンダリングへの応用
- クロック分配回路の電力消費に関する一考察
- 圧縮/伸張器混載DRAM
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))