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NEC シリコンシステム研究所 | 論文
- 4. 動的再構成プロセッサ(DRP)(実例, 新世代マイクロプロセッサアーキテクチャ(後編))
- 動的な部分再構成デバイスを用いた仮想ハードウェアシステム
- オンチップ制御並列プロセッサMUSCATの提案(並列処理)
- 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(3)
- 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(2) : DARM部について
- 圧縮/伸張器混載DRAMの開発(1)
- プリスケーリングを用いた高速除算手法
- TiSi_2 膜形成における Si表面アモルファス化の効果とSEDAM法
- C-12-31 冗長多値ロジックを用いた10Gb/s CMOS DEMUX IC
- 0.15μm CMOS技術による3Gb/sマルチプレクサと11.8GHzプリスケーラ回路の開発
- MUSCATにおける混在スレッド実行方式の検討
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
- 1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンIT-CCDイメージセンサ
- 8)2/3インチ130万画素IT-CCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 2/3インチ130万画素IT-CCDイメージセンサ
- 9)2/3インチ76万画素CCDイメージセンサ(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- 4)IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- 2/3インチ76万画素CCDイメージセンサ
- 1)新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕 合同)