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NECシリコンシステム研究所 | 論文
- 2.2 SiO_2/Si中水素のLSI長期信頼性への影響(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
- 2-2 SiO_2/Si 中水素の LSI 長期信頼性への影響
- プロセッサ間通信向けの2Gb/s×21CH低レイテンシ・トランシーバ回路の開発 (「VLSI一般」)
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
- 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO
- C-12-54 メモリセル読み出し信号電圧に着目したFeRAM評価手法
- プロセス ロジック混載強誘電体メモリ回路技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
- NV-SRAM : 強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
- C-12-37 スマートカードLSI混載用128KビットFeRAMマクロ
- C-12-36 NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
- スマートカードLSI混載用128KビットFeRAMマクロ
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM
- スマートカードマイクロコントローラ向けFeRAMマクロセル