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NECシステムデバイス研究所 | 論文
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 光ゲート用SSC-SOA
- 低消費電力(10mW)光アンプゲートモジュール
- S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
- 低電流駆動スポットサイズ・変換部付き半導体光アンプゲート
- アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
- MOVPE選択成長を用いたInP系8×8スターカップラ
- 1.3μm帯フォトダイオードを分波フィルターとする1.3/1.55μm双方向WDM通信用光集積素子の検討
- 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- C-12-13 先端CMOSプロセス向けSRAM開発におけるSRAMセル諸特性の効率的ばらつき評価手法(C-12.集積回路,一般セッション)
- LSIにおけるシグナルインテグリティ問題と対策 : LSI性能の継続的な進化のために
- チャージポンプ付きHigh-Beta BiCMOS(Hβ-BiCMOS)論理ゲート回路
- C-4-37 10Gb/s小型光受信モジュール用高感度プレーナ型APD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 電流ブロック層への再結合層ストライプ挿入による1.3μm SSC-ASM LDの高温高出力特性の向上