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NECエレクトロニクス株式会社 | 論文
- 不活性化による格子間シリコンの放出を考慮したヒ素のペア拡散モデル
- メモリ集積型プロセッサIMAP-LSI
- 超並列計算機JUMP-1におけるMBP-lightの性能評価
- プロセスの微細化に伴うデバイスばらつきの回路動作への影響
- 特定用途向け低ビット複合演算回路設計(VLSIの設計/検証/テスト及び一般(デザインガイア))
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- ランプ波形分割方式を用いたオンチップサンプリングオシロスコープ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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- 低電力DSPを用いたH.264ビデオエンコーダ(画像信号処理及び一般)
- マルチグレインDSMをサポートするWSクラスタJUMP-1/3
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
- シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
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- TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構
- リモートプラズマCVD法による高品質SiO_2膜の低温形成とSi-MOSFETへの応用
- 超高密度3次元パッケージの信頼性
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜