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NECエレクトロニクス株式会社 | 論文
- 混載メモリ応用へ向けた相制御Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックのインテグレーション技術
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- LSIを搭載したプリント回路基板のEMIシミュレーション(EMC関連(2),EMC/EMD/一般)
- LSIを搭載したプリント回路基板のEMIシミュレーション(EMC関連(2),EMC/EMD/一般)
- LSIを搭載したプリント回路基板のEMIシミュレーション
- 5-1 HfSiOxによる仕事関数制御MOSトランジスタにおけるランダム・テレグラフ・ノイズ(セッション5「試験,故障解析,部品,要素技術の信頼性,ハードウェア面」)
- リコンフィギャラブルプロセッサアレー向けチップ内接続網 : Fat H-Tree(VLSIシステム)
- 多層ダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- コンタクト底部のSi表面状態によるコンタクト抵抗の劣化
- シングルダマシンCu配線におけるエレクトロマイグレーション誘起ボイドの発生と成長(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- サドンデスTEGとOBIRCHを用いたダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価
- 2.1 p-MOSFETにおけるNBTIによる劣化予測モデルに関する一考察(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
- 2-1 p-MOSFET における NBTI による劣化予測モデルに関する一考察
- MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー(新メモリ技術とシステムLSI)
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