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NECエレクトロニクス株式会社 | 論文
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- 256Mフラッシュメモリ用0.54μm^2 SAHF(Self-Aligned HSG Floating gate)セル
- サブ100nmCMOSロジック用1.5nmゲート酸窒化膜におけるノックオン酸素の影響
- パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TaN膜の評価
- WSクラスタJUMP-1/3-SLの実装と評価
- WSクラスタにおける分散共有メモリのためのHome Proxy
- 超並列計算機用結合網RDTのルーティング制御評価用システム : JUMP-1/3
- ネットワークオンチップにおけるローカルラベリング方式の評価(VLSIシステム)
- Reconfigurable Hardware による細胞シミュレータの高速化手法
- 細胞系譜構築システムのReconfigurable Systemによる高速化
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- 特定用途向け低ビット複合演算回路の一設計法(アーキテクチャ,システムLSI設計とその技術)
- フラッシュメモリー過剰消去メカニズムの解析 : スケーリング則に対する新しい制約
- 2段階消去法によるフラッシュメモリ消去しきい値制御
- トンネル酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション
- 組立後工程での再配線技術による良品保証可能な極薄組込み型パッケージの開発
- 実装プロセス・材料 TLT(Thin Layer Technology)-パッケージの開発 (実装技術特集)
- 半導体技術の急激な進歩が一信頼性保証に与える影響(LSI品質の保証のための提案)
- 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)