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Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn | 論文
- NH_3におよるSi(100)の原子層熱窒化過程
- NH_3によるSi表面の低温熱窒化
- CVD Si1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御
- 研究紹介 CVD法によるSi1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御
- CVD Si_Ge_xエピタキシャル成長とドーピング制御 : Si半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 高清浄減圧CVD法を用いたPH_3によるSi(100)およびGe(100)表面でのPの原子層吸着
- Si(100)表面でのCH_4の低温反応
- 高清浄雰囲気下での熱CVD法によるSi上のGe成長初期過程
- Low-Frequency Noise in Si_Ge_x p-Channel Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors : Semiconductors
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/Siヘテロ構造品質との対応
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
- バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_Ge_xC_y膜のエッチング特性
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
- バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_Ge_XC_y膜のエッチング特性
- Siの原子層プラズマ窒化におけるラジカルとイオンの寄与
- WF_6-SiH_4系によるSi表面でのW低温選択成長の初期過程
- Siの原子層プラズマ窒化におけるラジカルとイオンの寄与
- WF_6-SiH_4系によるWの低温選択成長初期過程
- ECRプラズマによるSi-Ge系の原子層エッチング
- Wの低温選択成長とその初期過程