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Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan | 論文
- ポーラスlow-k膜のk値上昇(TDDI)メカニズムと信頼性向上技術
- 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- ダマシンCu配線における絶縁劣化現象
- 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- Cu電界ドリフトによる絶縁破壊
- Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- Dielectric Breakdown and Light Emission in Copper Damascene Structure under Bias-Temperature Stress
- Characterization of Line-edge Roughness in Cu/low-k Interconnect Pattern
- Increase in Electrical Resistivity of Copper and Aluminum Fine Lines
- Characterization of Line-Edge Roughness in Cu/Low-$k$ Interconnect Pattern
- Resistivity Increase In Ultrafine-Line Copper Conductor for ULSIs : Semiconductors
- Suppression of Leakage Current of Metal--Insulator--Semiconductor Ta2O5 Capacitors with Al2O3/SiON Buffer Layer
- Light Emission Analysis of Dielectric Breakdown in Stressed Damascene Copper Interconnection
- Dependence of Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime on the Structure in Cu Metallization
- Influence of Cu-Ion Migration and Fine-Line Effect on Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime of Cu Interconnects