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静岡大学工学部電気・電子工学科 | 論文
- MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
- MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長(III族窒化物研究の最前線)
- MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
- Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
- MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
- Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
- MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
- Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
- MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
- Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
- Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
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- 同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価-GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関-
- MOCVD法GaN成長層に対するキャリアガス組成の影響
- MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
- GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
- MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
- GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高圧配電線雷過電圧への柱上変圧器の応答 : 変圧器容量への依存性